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MOS晶体管的栅极电流(Qg)是什么意思?

归属类别:365bet游戏 发布时间:2019-11-03 11:48 录入:365bet注册地址 热量值:
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MOS晶体管的栅极电流的“ Qg”表示Q ----表示电荷量,g -----表示栅极。
Qg是导通MOS晶体管所需的电荷量。
MOS晶体管的栅极特性等效于电容器,电容是电荷量Q,并且存储的能量以库仑单位表示。
MOS管的源极和漏极可以颠倒,它们都是在P型后挡板中形成的N型区域。
在大多数情况下,两个区域是相同的。如果两端都反向,则不会影响设备性能。
这样的设备被认为是对称的。
扩展数据MOS电容器的特殊特性用于形成MOS晶体管。
门,电介质和后挡板保持完整。
在门的两侧有两个其他区域被选择性掺杂。
一种称为水源,另一种称为排水。
假设源极和后栅极都接地,则漏极连接到正电压。
只要从GATE到BACKGATE的电压低于阈值电压,就不会形成沟道。
由于漏极和后栅极之间的PN结极性相反,因此很少有电流从漏极流向后栅极。
参见:百科全书百度摩丝管